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电子元器件详细资料 » IC[20528] » IRFH5020TR2PBF
型号:IRFH5020TR2PBF类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:8-VQFN描述:MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C55 毫欧 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 150µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs54nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2290pF @ 100V
功率_最大3.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-VQFN
供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
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